电子管曲线图（电子管曲线图基础知识）

电子管特性图示仪怎么使用啊?

在测试小功率晶体管的输出特性曲线时，该旋钮置VCE的有关挡。测量输入特性(4)“功耗限制电阻”旋钮 “功耗限制电阻”相当于晶体管放大器中的集电极。电阻器（Resistor）在日常生活中一般直接称为电阻。

准备好所需的安全设备：在处理高电压时，安全是至关重要的。因此，请确保使用绝缘手套和安全眼镜。连接仪器：将半导体管连接到仪器上，确保连接牢固。设置电压：将仪器设置为5000V的电压。

此旋钮开关是一个具有4种偏转作用共22挡的旋钮开关，用来选择图示仪Y轴所代表的变量及其倍率。在测试小功率晶体管的输出特性曲线时，该旋钮置Ic的有关挡。

注意关闭输出电压，不然很容易搞坏你的标准源。

电子管fu29特性曲线图

追答 这两张是FU-29屏极特性曲线，一张是第二栅电压225伏，一张是第二栅电压175伏。

二极管伏安特性曲线加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示：正向特性：u0的部分称为正向特性。反向特性：u0的部分称为反向特性。

正向特性由图可以看出，当所加的正向电压为零时，电流为零；当正向电压较小时，由于外电场远不足以克服PN结内电场对多数载流子扩散运动所造成的阻力，故正向电流很小（几乎为零），二极管呈现出较大的电阻。

伏安特性曲线图常用纵坐标表示电流I、横坐标表示电压U，以此画出的I-U图像叫做导体的伏安特性曲线图。伏安特性曲线是针对导体的，也就是耗电元件，图像常被用来研究导体电阻的变化规律，是物理学常用的图像法之一。

三极管的特性曲线图分为四个区：饱和区、放大区、截止区、击穿区，一般讨论比较多的是前三个区。三极管的的工作点进入饱和区，三极管就进入饱和状态。三极管进入饱和状态还分深度饱和之说。

4P1S灯丝电压分正负吗?

测量交流电压或电流时，是没有正负之分的。测直流电时，读数的正负与选择的参考点有关系，也与测量表 表笔接法有关。如果参考点确定，测出的电压有正也有负（此时局限于数字万用表），万用表的读数就有正负号。

电子管功放机胆管灯丝电压范围不能超过±10%，比如灯丝电压是3伏的管子，最高不能超过7伏，最低不能小于7伏，电压太高了管子老化比较快，电压低了，灯丝温度不够，阴极不能正常发射电子，电子管不能正常工作。

电压的方向规定是：由＋到－；即：由正极到负极的。直流电规定是正极到负极，也就是高电压到低电压。交流电是没有正负极的，交流电的流向是从三相火线到零线。电压的正方向规定为由高电位指向低电位，即电位降的方向。

在一段电路中，电压的参考方向可以任意设定，即从假定的高电位指向假定的低电位。当电压的实际方向与参考方向一致时，电压为正值；两者相反时，电压为负值。

v是交流电，没有正负极之分，只有零线和火线(相线)之分。一般电器接入是不分零线和火线的。但为了安全，开关必须接在火线上。

IN+、IN-是数据信号的正负输入。Vcc，是Volt Current Condenser的简写，意思是电路的供电电压，电源电压（双极器件）；电源电压（74系列数字电路）；声控载波（Voice Controlled Carrier)；火线。

怎样看电子管特性曲线图

1、在测试小功率晶体管的输出特性曲线时，该旋钮置VCE的有关挡。测量输入特性(4)“功耗限制电阻”旋钮 “功耗限制电阻”相当于晶体管放大器中的集电极。电阻器（Resistor）在日常生活中一般直接称为电阻。

2、输出特性就是输出端的电压与电流的关系，不管是电子管，双极型晶体管，场效应管都是这个概念。这些特性以曲线方式表示，画到图上就是所谓输出特性曲线。

3、这两张是FU-29屏极特性曲线，一张是第二栅电压225伏，一张是第二栅电压175伏。

4、真空电子管如果漏气，一通电灯丝就烧断，其伏安特性立刻变成一条与电压轴重合的直线。也就是无论电压怎么变，电流均为0。电子管是一种最早期的电信号放大器件。

5、阳极电流的变化曲线。阳极特性曲线是在电子管或半导体器件中，针对阳极电压的变化，记录的阳极电流的变化曲线。在曲线上，可以清楚看出管子的工作状态和参数。

6、前级放大电路；(1)采用国产管6J8P（属于中高频电压放大五级管），该管以音乐味浓郁而著称，曾被多种世界名机采用。为了充分利用该电子管的放大特性，根据电子管手册上给出的6J8P的静特性曲线如（图2）所示。

什么叫双极型晶体管的输出特性曲线

输出特性就是输出端的电压与电流的关系，不管是电子管，双极型晶体管，场效应管都是这个概念。这些特性以曲线方式表示，画到图上就是所谓输出特性曲线。

输出特性曲线：描述基极电流IB为一常量时，集电极电流iC与管压降uCE之间的函数关系。可表示为：双极型晶体管输出特性可分为三个区★截止区：发射结和集电结均为反向偏置。IE@0，IC@0，UCE@EC，管子失去放大能力。

i-v曲线是晶体管的输出特性曲线，它是指晶体管的集电极电流（i_c）与集电极-发射极电压（v_ce）之间的关系曲线。i-v曲线可以反映晶体管的放大特性和非线性特性。

晶体管的转移特性曲线是描述三极管的各端电流与两个PN结外加电压之间的关系的一种形式，其特点是能直观，全面地反映晶体管的电气性能的外部特性。

MOS器件的输出特性曲线的参变量是VGS ，双极性晶体管的输出特性曲线的参变量是基极电流IB。衡量沟道长度调制的大小可以用厄莱(Early)电压VA表示，它反映了饱和区输出电流曲线上翘的程度。PMOS的工作原理与NMOS相类似。

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